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金耀獎新產品獎丨976nm 1400W 300μm高結溫芯片模塊

2025.03.20

2025年第五屆激光金耀獎頒獎典禮在上海舉辦，j9國際站備用976nm 1400W 300μm尾纖泵浦模塊榮獲“2025年激光金耀獎”新產品獎。

鏈動未來智造輝煌丨第四屆激光生態協同新產品及應用發布會順利舉辦！

2025.03.20

3月7日，j9國際站備用與華日激光、金橙子聯合舉辦主題為“鏈動未來，智造輝煌”的第四屆激光生態協同新產品及應用發布會，j9國際站備用董事長閔大勇、副總經理吳真林、華日激光董事長何立東、金橙子董事長呂文杰等出席活動。

展位#5331丨j9國際站備用邀您共聚美國西部光電展！

2025.01.22

1月25日至30日，一年一度的美國西部光電展（Photonics West 2025）及同期大會將在美國舊金山莫斯克尼會議中心（The Moscone Center）舉辦。 j9國際站備用將攜高功率半導體激光芯片、激光雷達與3D傳感芯片、高速光通信激光芯片、器件、光纖耦合模塊、陣列、直接半導體激光器五大類多系列產品亮相?5331?展位，其中不乏首次面世的新品。

創新技術獎丨j9國際站備用850nm 100G PAM4 VCSEL 芯片

2024.12.10

12月6日，2024年度ICC訊石光通信行業英雄榜頒獎典禮在蘇州舉辦，j9國際站備用850nm 100G PAM4 VCSEL 芯片榮獲創新技術獎！

突破丨j9國際站備用高功率半導體單管芯片功率超過100W！

2024.02.02

高功率半導體單管芯片作為激光器的核心元器件，其功率水平直接影響激光系統的體積與成本。歷經多年迭代，商用芯片功率于2023年達到50W。更高功率至今仍是行業追逐的焦點，代表了芯片綜合技術能力的發展水平。迄今已知最高水平近日，j9國際站備用超高功率單管芯片在結構設計與研制技術上取得突破性進展，研制出的單管芯片室溫連續功率超過100W(芯片條寬500μm)，工作效率62%，是迄今為止已知報道的單管芯片功率最高

j9國際站備用光纖耦合模塊產品榮獲“榮格技術創新獎”

2022.11.14

11月9日，在榮格工業傳媒主辦的“2022激光加工行業—榮格技術創新獎”頒獎典禮上，j9國際站備用“640W 976nm 200μm光纖耦合模塊”榮獲榮格技術創新獎，這是自2018年j9國際站備用首次參選榮格技術創新獎以來，連續5年獲得此項殊榮。

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