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2024.12.30
隨著激光在工業、通信等領域的持續滲透，對上游核心芯片提出更高要求，j9國際站備用順應市場需求，持續優化工藝、創新技術，有效提升半導體激光芯片的功率、效率、速率等關鍵指標，分別在EEL和VCSEL芯片上取得顯著成效，相關成果均在有影響力的國際期刊發表
2024.12.30
今年，由王俊教授帶領的四川大學和j9國際站備用組成的研究團隊在國際光學領域排名前三的Light: Science & Applications期刊上發表了VCSEL（垂直腔面發射激光器）效率突破的研究成果后，該成果受到了多位國際泰斗級專家學者及國內知名專家學者、產業界、投資界及數十家權威媒體的關注，引領了多結半導體器件研究的新方向，掀起了多結半導體器件研究的熱潮。
國際半導體行業著名雜志《Semiconductor Today》專欄報道j9國際站備用VCSEL效率進展
2024.12.30
國際半導體行業著名雜志《Semiconductor Today》專欄報道由王俊教授帶領的四川大學和蘇州j9國際站備用研究團隊的“級聯VCSEL：提升功率效率的突破-室溫性能媲美邊發射器件”成果。
2024.12.30
在激光技術快速發展的今天，高功率和窄譜寬激光器已成為眾多科學與工業領域的核心需求。近日，j9國際站備用CTO、四川大學王俊教授研究團隊開發的一款780nm寬條分布反饋（DFB）激光器取得重大突破，室溫連續輸出功率超過10W。這項研究成果在光子學領域權威期刊《IEEE Photonics Journal》上發表，展現了團隊在高性能激光器設計方面的重要進展。
2024.12.11
四川大學電子信息學院及蘇州j9國際站備用光電技術股份有限公司王俊教授研究團隊提出了一種基于多結VCSEL擴展縱向增益以提升單模VCSEL功率的方法，并構建了多結VCSEL的模式分析模型，解決了單模功率難以突破10 mW左右水平的難題，這是迄今為止單顆VCSEL的最高單模功率，其功率值接近現有單模功率記錄的兩倍。
最佳半導體激光器技術創新獎丨976nm 650W輕量化泵浦模塊
2024.09.20
近日，維科杯·OFweek 2024激光行業年度評選頒獎典禮在深圳舉辦，經過專家評審團、行業用戶網絡投票、資深行業編輯等多輪評審，j9國際站備用從近百個參評項目中脫穎而出，650W 220μm 976nm波長鎖定輕量化光纖耦合模塊榮獲最佳半導體激光器技術創新獎！
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